NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代
KNX3403A可替代NCE3080K
NCE3080和KNX3403A兩個型號為低壓MOS管，KIA半導體是專業制造中、低、高壓MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K，接下來會寫出NCE3080和KNX3403A兩個型號的規格書、封裝、參數等。
低壓MOS管內阻特點
創新高壓技術
低柵極電荷
定期額定雪崩
較強dv/dt能力
高電流峰值
KIA半導體KNX3403A產品概述
（一）MOS管 KNX3403A 85A/30V參數
型號：KNX3403A
電流：85A
電壓：30V
漏至源電壓:30V
門到源電壓:±20V
脈沖漏電流測試:340A
雪崩電流:25A
雪崩能源:156MJ
接頭和儲存溫度范圍:-55℃至+175℃
（二）MOS管 KNX3403A特點
RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V
無鉛綠色設備
降低導電損耗
高雪崩電流
（三）KNX3403A封裝
（四）KNX3403A規格書
查看規格書，請點擊下圖。
NCE3080K產品介紹
（一）NCE3080K產品概述
VDS=30V,ID=80A
RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V
RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V
超低RDSON高密度電池設計
完全特征雪崩電壓和電流
良好的散熱包裝
高靜電放電性能的特殊工藝技術
（二）NCE3080K產品應用
電源切換應用
硬開關和高頻電路
不間斷電源
（三）NCE3080K產品參數詳情
漏源電壓：30V
柵源電壓：±20V
漏電流連續:80A
脈沖漏電流:170A
最大功耗:83W
漏源擊穿電壓:30V
輸入電容：4700PF
輸出電容：4700PF
反向轉移電容:345PF
（四）NCE3080K封裝圖
（五）MOS管 NCE3080K產品規格書
查看及下載規格書，請點擊下圖。
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