100N03A參數概述
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。
開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
特征：
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的能力提高
快速開關
綠色環保
參數：
漏源電壓(vdss):30V
柵源電壓（vgss)：±20V
連續漏電流：（ld）：90A
脈沖漏極電流：360A
雪崩電流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率（pd）：88W
熱電阻：60℃/W
漏源擊穿電壓：30V
柵極閾值電壓（min）：1.2V
溫度系數：-5mV/℃
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KIA100N03A(90A 30V)
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產品編號
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100N03A/AB/AD/AP/AU
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產品工藝
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KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對的阻力，提供優越的。
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產品特征
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RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的能力提高
快速開關
綠色環保
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適用范圍
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適用于高效率開關電源，有源功率因數校正、基于半橋拓撲
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封裝形式
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TO-251、TO-252、TO-263、TO-220
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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