KIA40N06參數
kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度，為大多數的同步降壓轉換器，優良的導通電阻和柵極電荷應用，kia40n06b符合ROHS環保和綠色產品的要求，保證100% EAS全功能可靠性認證。
特點：
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V
先進的高密度溝槽技術
超級Low Gate Charge
優良的CDV / dt效應遞減
100% EAS保證
綠色的可用設備
應用：
MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點
網絡化DC-DC電源系統
液晶/ LED背光燈
產品型號：KIA40N06
工作方式：38A、60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續）：±20V
連續漏電流：38A
脈沖漏極電流：80A
雪崩能量：28A
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數：0.057
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：2423 PF
輸出電容：145 PF
上升時間：2.2 ns
封裝形式：TO-251、TO-252
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KIA 40N06(38A 60V)
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產品編號
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KIA40N06BD/BU
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度，為大多數的同步降壓轉換器，優良的導通電阻和柵極電荷應用，kia40n06b符合ROHS環保和綠色產品的要求，保證100% EAS全功能可靠性認證。
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產品特征
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RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V
先進的高密度溝槽技術
超級Low Gate Charge
優良的CDV / dt效應遞減
100% EAS保證
綠色的可用設備
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適用范圍
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主要使用于MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點
網絡化DC-DC電源系統
液晶/ LED背光燈
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封裝形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA 原廠家
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網址
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www.kiaic.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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