6N65參數
KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
特點
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA6N65HD
工作方式：5.5A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：5.5*A
脈沖漏極電流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
熱電阻：50*（110）℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：620 PF
輸出電容：65 PF
上升時間：45 ns
封裝形式：TO-252
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KIA6N65（5.5A/650V）
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產品編號
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KIA6N65/HD
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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KIA 6N65HDN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
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產品特征
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RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
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封裝形式
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TO-252
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA 原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁總數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
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