KIA6N70參數
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
特征
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：5.8*A
脈沖漏極電流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：700V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：650 PF
輸出電容：95 PF
上升時間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F
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KIA6N70（5.8A 700V）
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產品編號
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KIA6N70/HD/HF/HU/SU
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
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產品特征
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RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
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封裝形式
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TO-251、TO-252、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁數
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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