KIA2N60參數
KIA2N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
KIA2N60特征
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型9NC）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA2N60
工作方式：2A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：2.0*A
脈沖漏極電流：8*A
雪崩能量：12mJ
耗散功率：44W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：200 PF
輸出電容：20 PF
上升時間：25 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA2N60（2A/600V）
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產品編號
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KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
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產品特征
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RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型9NC）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
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封裝形式
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TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁數
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總6頁數
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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