KIA9N90參數
N溝道增強型功率場效應晶體管是使用半導體專有的，平面條形DMOS技術，這種先進的技術已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設備非常適合高效率。開關電源，有源功率因數校正，半橋式電子鎮流器拓撲。
特點
9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低柵電荷（典型的70數控）
Low Crss（典型的14pf）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
產品型號：KIA9N90
工作方式：9A/900V
漏源電壓：900V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：280W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：900V
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2780 PF
輸出電容：228 PF
上升時間：130 ns
封裝形式：TO-3P、TO-247
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KIA9N90（9A/900V）
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產品編號
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KIA9N90/HF/Hm/SF
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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N溝道增強型功率場效應晶體管是使用半導體專有的，平面條形DMOS技術，這種先進的技術已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。
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產品特性
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9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低柵電荷（典型的70數控）
Low Crss（典型的14pf）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
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適用范圍
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主要適用于高效率。開關電源，有源功率因數校正，半橋式電子鎮流器拓撲
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封裝形式
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TO-3P、TO-247
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA 原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁數
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總7頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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