KIA10N65參數
KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。
KIA10N65特征
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V
低柵極電荷（典型的48nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA10N65
工作方式：10A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：709mJ
耗散功率：52W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1650 PF
輸出電容：1665 PF
上升時間：70 ns
封裝形式：TO-220F
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KIA10N65（10A 650V）
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產品編號
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KIA10N65/HF/HP
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。
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產品特征
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RDS(on) =0.65? @ V GS =10V
低柵極電荷（典型的48nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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適用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。
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封裝形式
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TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁總數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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