KIA12N65參數
KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
KIA12N65特征
RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA12N65
工作方式：12A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：12.0*A
脈沖漏極電流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
上升時間：90 ns
封裝形式：TO-220F
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KIA12N65（12A 650V）
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產品編號
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KIA12N65/HF
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
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產品特征
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RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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適用于高速功率開關，開關電源等
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封裝形式
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TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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