KIA10N80參數
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
KIA10N80特點
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V
低柵極電荷（典型的63nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
ESD能力提高
產品型號：KIA10N80
工作方式：10A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±25V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：0.8V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2230 PF
輸出電容：135 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-220F、TO-3P
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KIA10N80（10N80）
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產品編號
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KIA10N80/HF/HH
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
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產品特征
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RDS(on) =0.85? @ VGS =10V
低柵極電荷（典型的63nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
ESD能力提高
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適用范圍
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主要適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
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封裝形式
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TO-220F、TO-3P
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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