KIA16N50參數指標
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
KIA16N50特征
RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA16N50應用
高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
參數指標
產品型號：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：16*A
雪崩能量：853mJ
功率耗損：38.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：38.5V
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2200 PF
輸出電容：350 PF
上升時間：170 ns
封裝形式：TO-220F、TO-3P、TO-247
|
KIA16N50（16A 500V）
|
|
產品編號
|
KIA16N50HF/HH/HM
|
|
FET極性
|
N溝道MOSFET
|
|
產品工藝
|
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
|
|
產品特征
|
RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
|
|
適用范圍
|
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
|
|
封裝形式
|
TO-220F、TO-3P、TO-247
|
|
PDF文件
|
 【直接在線預覽】
|
|
LOGO
|
|
|
廠家
|
KIA原廠家
|
|
網址
|
www.txlyb.com
|
|
PDF頁總數
|
總6頁
|
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
