KIA3N80參數
KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
特征
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的13nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
參數
產品型號：KIA3N80
工作方式：3.0A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：3A
脈沖漏極電流：12A
雪崩能量：320mJ
耗散功率：39W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：1V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：543 PF
輸出電容：54 PF
上升時間：43.5 ns
封裝形式：TO-220F
|
KIA3N80
|
|
產品編號
|
KIA3M80（3.0A 800V）
|
|
FET極性
|
N溝道MOSFET
|
|
產品特征
|
RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的13nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
|
|
適用范圍
|
KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計對于高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關轉換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
|
|
封裝形式
|
TO-220F
|
|
PDF文件
|
 【直接在線預覽】
|
|
LOGO
|
|
|
廠家
|
KIA原廠家
|
|
網址
|
www.txlyb.com
|
|
PDF頁總數
|
總6頁
|
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
