KCM3650參數
高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序，這些設備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
KCM3650特征
強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管
二極管的特點是用于橋式電路
IDSS和VDS（上）指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
KCM3650參數指標
產品型號：KIA3650
工作方式：60A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：60A
脈沖漏極電流：180A
雪崩能量：1280mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3180 PF
輸出電容:4400 PF
上升時間：52 ns
封裝形式：TO-220F、TO-247
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KCM3650（60A 500V）
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產品編號
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KCM3650A
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序。
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產品特征
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強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管
二極管的特點是用于橋式電路
IDSS和VDS（上）指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
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適用范圍
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主要適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
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封裝形式
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TO-220F、TO-247
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁總數
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總5頁
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