KND4820參數指標
應用
CRT，電視/監視器
其他應用程序
特征
RDS（ON）= 260mΩ@ VGS = 10 V
專有的新平面技術
低柵電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
參數
產品型號：KND4820
工作方式：9.0A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：670 PF
輸出電容：78 PF
上升時間：5.8 ns
封裝形式：TO-252、TO-220
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KND4820
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產品編號
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KND4820（9.0A 200V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品特征
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RDS（ON）= 260mΩ@ VGS = 10 V
專有的新平面技術
低柵電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
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適用范圍
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主要適用于CRT，電視/監視器、其他應用程序
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封裝形式
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TO-252、TO-220
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁總數
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總6頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8029
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