KIA6035參數指標
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
特征
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
參數
產品型號：KIA6035
工作方式：11A/350V
漏源電壓：350V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：11A
脈沖漏極電流：36A
雪崩電流：9.91mJ
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：350V
溫度系數：0.35V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：844 PF
輸出電容：162 PF
上升時間：23.5 ns
封裝形式：TO-252、TO-220
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KIA6035/AD/AP
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產品編號
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KIA6035(11A 350V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
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產品特征
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RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正，基于半橋拓撲
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封裝形式
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TO-252、TO-220
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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