KIA16N50參數指標
這種功率MOSFET是使用起亞先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術經過特別定制，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲。
特征
RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V
低柵極電荷(典型45nC )
快速切換能力
雪崩能量
改進的數字電視/數字電視能力
參數
產品型號：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：16A
脈沖漏極電流：64A
雪崩能量：853mJ
耗散功率：38.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2200PF
輸出電容：350PF
上升時間：170 ns
封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA16N50/HF/HH/HM
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產品編號
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KIA16N50（16A 500V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET是使用起亞先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術經過特別定制，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。
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產品特征
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RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V
低柵極電荷(典型45nC )
快速切換能力
雪崩能量
改進的數字電視/數字電視能力
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適用范圍
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主要適用于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲
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封裝形式
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TO-220F、TO-3P、TO-247
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.kiaic.com
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PDF頁總數
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總6頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8029
手機：18123972950
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