KIA18N20參數指標
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通過無鉛認證
低電阻
低柵極電荷
峰值電流與脈寬曲線
應用
電視/顯示器
其他應用
KIA18N20參數
產品型號：KIA18N20
工作方式：18A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：18A
脈沖漏極電流：6A
雪崩電流：8A
雪崩能量：950mJ
耗散功率：156W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：200V
溫度系數：0.25V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1140PF
輸出電容：80PF
上升時間：33 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
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KIA18N20/AF/AP
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產品編號
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KIA18N20（18A200V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品特征
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RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通過無鉛認證
低電阻
低柵極電荷
峰值電流與脈寬曲線
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適用范圍
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主要適用于電視/顯示器、其他應用
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封裝形式
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TO-220、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF頁總數
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總6頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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