KIA28N50參數指標
這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
KIA28N50特征
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的102nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA28N50參數
產品型號：KIA28N50
工作方式：28A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：28A
脈沖漏極電流：112A
雪崩能量：1960mJ
耗散功率：479W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：4085 PF
輸出電容：474 PF
上升時間：87ns
封裝形式：TO-3P
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KIA28N50
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產品編號
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KIA28N50（28A500V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。
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產品特征
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RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的102nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
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封裝形式
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TO-3P
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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