KIA4820參數指標
KIA4820增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷減少開關損耗
快速恢復體二極管
3、參數指標
產品型號：KIA4820
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：9A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300m
耗散功率：83W
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418 PF
輸出電容：94 PF
上升時間：6.0 ns
封裝形式：TO-220、TO-252
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KIA4820
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產品編號
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KIA4820（9A 200V）
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產品工藝
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KIA4820b增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器
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產品特征
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專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷減少開關損耗
快速恢復體二極管
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適用范圍
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主要適用于高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器
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封裝形式
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TO-220、TO-252
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總8數
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
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