KND4820B參數
1、應用
KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
3、產品參數
產品型號：KND4820B
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418PF
輸出電容：94PF
上升時間：6.0ns
封裝形式：TO-251、TO-252
4、產品規格
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KND4820B
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產品編號
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KND4820B 9A/200V
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產品特征
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專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
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適用范圍
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高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
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封裝形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總8頁
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聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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