1、KIA6035A產品描述
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。
開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
2、KIA6035A的特征
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
3、KIA6035A產品參數
產品型號：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源電壓：350V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：11A
脈沖漏極電流:9.0A
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：350V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
上升時間：23.5ns
封裝形式：TO-252、TO-220
4、KIA6035A產品規格
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KIA6035A
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產品編號
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KIA6035A 11A/350V
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產品工藝
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這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。
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產品特征
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RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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適合于最小化狀態電阻，高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
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封裝形式
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TO-252、TO-220
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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