1、KIA4N60產品描述
KIA4N60HN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
2、KIA4N60特征
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
3、KIA4N60參數
產品型號：KIA4N60
工作方式：4A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續：4.0A
脈沖漏極電流：16A
雪崩電流：9.3mJ
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：500PF
輸出電容：45PF
上升時間：32ns
封裝形式：TO-251、252、220、220F、262
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KIA4N60
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產品編號
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KIA4N60 4A/600V
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產品特征
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RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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適用功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序等
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封裝形式
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TO-251、252、220、220F、262
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.kiaic.com
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PDF頁總數
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總6頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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