IRF740參數指標
IRF740屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740為設計者提供了轉換快速、堅固耐用、低導通阻抗和高效益的強力組合。
新系列的低電荷PowerMOSFETIRF740LC則具有比傳統MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術,IRF740LC性能得到增強且無需增加額外的成本,簡化了柵極動需求,從而節省了系統總體開銷。此外,在大量的高頻應用中,IRF740LC減少了轉換損耗,效能得到強化。
TO-220封裝的IRF740普遍適用于功耗在50W左右的工商業應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF740得到業內的普遍認可。SMD-220封裝的IRF740適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應高強度電流的應用。
2、IRF740特征
動態dv/dt率
可恢復性雪崩測定
快速轉換速率
并行簡易
僅需簡單驅動
超低柵電荷 - IRF740LC
增強VGS等級 30 V - IRF740LC
極高工作頻率 - IRF740LC
無鉛環保
3、產品參數
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
電壓, Vgs 最大:20V
開態電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω
(Vgs=10V,Id=5.3A)
電壓Vds 最高:400V
功耗:2.5W
功率溫度:25°C
4、IRF730產品參考
PartNumbe
|
VDss(V)
|
ID(A)
|
MaxRDS(ON)
@60%ID(Ω)
|
Typical RD(ON)@60%ID(Ω)
|
IRF630
|
200
|
9.5
|
300
|
23.3
|
IRF024
|
60
|
14
|
0.10
|
25
|
IRF634
|
250
|
8.1
|
0.45
|
41
|
IRF830
|
500
|
4.5
|
1.5
|
38
|
IRF840
|
500
|
8.0
|
0.85
|
63
|
IRF7811
|
30
|
14
|
14
|
17
|
IRF530
|
100
|
14
|
0.16
|
26
|
IRF7413
|
30
|
13
|
11
|
44
|
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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