KIA12N60H產品描述
KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
3、產品參數
漏極至源極電壓（VDSS）：600
柵源電壓（VGSS）：±30
漏極電流 （連續）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A
耗散功率（PD）：231
工作溫度：±150
擊穿電壓溫度：0.7
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω
4、KIA12N60H產品規格
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KIA12N50（12A 60V）
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產品編號
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KIA12N60/F/HF/HP
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產品工藝
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kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
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產品特征
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RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
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封裝形式
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TO-220、Yo-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA 原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總7頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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