KIA20N50參數指標
KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的70nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA20N50參數
產品型號：KIA20N50
工作方式：20A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：13A
脈沖漏極電流：80A
雪崩能量：110mJ
耗散功率：41.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2700 PF
輸出電容：400 PF
上升時間：400 ns
封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA20N50/HF/HH/HM
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產品編號
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KIA20N50（20A 500V）
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品特征
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RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的70nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
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封裝形式
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TO-220F、TO-247、TO-3P
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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