KIA8606參數指標
8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優良的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產品要求,100%個功能齊全的可靠性認證。
KIA8606特征
超低柵電荷
100% EAS保證
優良的CDV / dt效應DES線
綠色的可用設備
先進的高密度溝槽技術
KIA8606參數
產品型號:KIA8606
工作方式:35A/60V
漏源電壓:60V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:35A
脈沖漏極電流:80A
雪崩電流:28A
雪崩能量:39.2A
耗散功率:45W
熱電阻:62℃/W
漏源擊穿電壓:60V
溫度系數:0.057V
柵極閾值電壓:1.2V
輸入電容:2423 PF
輸出電容:145 PF
上升時間:50ns
封裝形式:TO-251

|
KIA8606
|
產品編號
|
KIA8606(35A 60V)
|
FET極性
|
N溝道MOSFET
|
產品工藝
|
8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優良的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產品要求,100%個功能齊全的可靠性認證。
|
產品特征
|
超低柵電荷
100% EAS保證
優良的CDV / dt效應DES線
綠色的可用設備
先進的高密度溝槽技術
|
封裝形式
|
TO-251
|
PDF文件
|
【直接在線預覽】
|
LOGO
|

|
廠家
|
KIA原廠家
|
網址
|
www.txlyb.com
|
PDF總頁數
|
總5頁
|
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」,做優秀工程師!
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯