IRF3205參數
功率金屬氧化物半導體場效應晶體管，利用先進的處理技術達到每個硅片極低的 導通阻抗。這樣有益于結合高速的開關和可靠使MOSFETS大量地實用設備上，使設計師能夠非常高效，可靠的應用在 各個方面。
D2Pak表面封裝的適合于小功率大面積小HEX-4。它能夠提供最大的功率輸出和最可能小的導通阻抗在現有的貼片封裝。
D2Pak適合與大電流應用場合，是因為它有低的內部連接阻抗和具有2W的散熱能力，是典型的貼片封裝應用。
IRF3205特征
先進的加工技術
極低的導通阻抗
動態的dv/dt等級
175℃運行溫度
充分的雪崩等級
IRF3205參數
漏極電流（連續）：110 A
脈沖漏極電流：390A
功率消散 ：200W
線性額定降低因數 ：1.3 W/℃
門極電壓：±20
雪崩電流：62A
重復雪崩能量：20 mJ dv/dt
二極管恢復峰值電壓變化率：5.0 V/nS
工作節點溫度和保存溫度： -55（to） +175℃
焊接溫度，在10秒內：300（假設為1.6mm）℃
MOSFET選型指標
|
PartNumbe
|
VDss(V)
|
ID（A）
|
Max RDS(ON)
@60%ID(Ω)
|
Typical RDS(ON)
@60%ID(Ω)
|
|
IRF840
|
500
|
8
|
0.85
|
63
|
|
IRF7811
|
30
|
14
|
14
|
17
|
|
IRF610
|
200
|
3.3
|
1.5
|
8.2
|
|
IRF530
|
100
|
17
|
90
|
24.7
|
|
IRF634
|
250
|
8.1
|
0.45
|
54
|
|
IRF7413
|
30
|
13
|
11
|
44
|
|
IRF3710
|
100
|
57
|
23
|
86.7
|
|
IRF024
|
55
|
162
|
4
|
160
|
|
IRF630
|
200
|
9.5
|
300
|
23.3
|
|
IRf1404
|
40
|
162
|
4
|
160
|
聯系方式：鄒先生
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