KIA10N65參數
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越的開關性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷（典型的90nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA24N50
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：24A
脈沖漏極電流：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率：290W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3500 PF
輸出電容：520 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-3P
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KIA24N50（24A 500V）
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產品編號
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KIA24N50/HH
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越的開關性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
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產品特征
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RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷（典型的90nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適合于高效率開關電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正
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封裝形式
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TO-3P
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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