KIA4N65參數
這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
KIA4N65特征
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
產品型號：KIA4N65
工作方式：4A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：3.0A
脈沖漏極電流：12A
雪崩能量：210mJ
耗散功率：58W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.65V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：560 PF
輸出電容：55 PF
上升時間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA4N65（4A 650V）
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產品編號
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KIA4N65/HF
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FET極性
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N溝道MOSFET
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產品工藝
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功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
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產品特征
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RDS(on) =2.5? @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
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適用范圍
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器件主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正?；诎霕蛲負?。
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封裝形式
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TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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LOGO
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廠家
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KIA原廠家
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總6頁
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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