13N50產品描述
KIA13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
2、KIA13N50參數
產品編號：KIA13N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作溫度：±150℃
擊穿電壓溫度：0.5/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
3、KIA13N50特征
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
4、KIA13N50產品規格
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13N50（13A 500V）
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產品編號
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KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
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溝道
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MOSFET N溝道
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封裝形式
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TO-220、TO220F、TO-263
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產品工藝
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13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
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產品特征
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RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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廠家
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KIA 原廠家
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LOGO
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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總5頁數
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聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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