1、20N50型號描述
KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
2、20N50產品參數
產品型號：KIA 20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
3、20N50產品特征
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
4、20N50產品規格
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20N50（20A 500V）
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產品編號
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KIA20N50/C/HF/HH/HM
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產品工藝
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kia20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
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溝道
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N溝道MOSFET
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特征
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RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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適用范圍
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主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正
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封裝形式
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TO-220F、TO-247、TO-3P
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PDF文件
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 【直接在線預覽】
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廠家
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KIA 原廠家
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LOGO
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網址
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www.txlyb.com
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PDF總頁數
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