8N60 MOS管參數

kia8n60是一種高電壓MOSFET和設計有更好的特性，如快速開關時間，低門電荷，低通態電阻，并具有較高的堅固雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關電源，PWM電機，控制器，高效率的DC至DC轉換器和橋電路。

系列名稱：MOSFET
溝道：N溝道
耗散功率（pd）：147

漏源反向電壓（Vds）：600

柵源反向電壓（Vgs）：30

漏極電流（連續）（id）：7.5

靜態漏源電阻R DS(ON)，Yyp：0.98

總功耗（Tc）：25℃

熱阻（RthCS）：05

熱阻結溫（RthJC）：0.85

通態電阻（Rds），Typ：0.98

上升時間（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高結溫（Tj），℃：150

	8N60（7.5A，600V）
產品編號	KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF
產品工藝	8N60該產品具有較低的導通電阻，優越的開關性能很高的雪崩、擊穿耐量
特征	1.超低柵極電荷（典型的29nc） 2.快速切換的能力 3.雪崩能量測試 4.提升的dt／dt能力
適用范圍	該產品適用于高速開關電源，PWM電機控制，高效率的DC至DC轉換器和橋電路。
封裝形式	TO-220、TO-220F等
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廠家	KIA原廠家
網址	www.txlyb.com
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