5N60現貨供應商 5N60參數中文資料 5N60參數配置對比
信息來源:本站 日期:2018-01-13
N溝道增強型功率場效應晶體管是使用起亞的。有平面的DMOS工藝。這種先進技術特別適合于最小化。在狀態電阻方面,提供優越的開關性能,并能承受高能量脈沖。雪崩換相模式。這些器件非常適合于高效率的開關模式電源。基于半橋的電源和電子鎮流器。
特征
4.5A,600V,RDS(ON)= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容(典型值8.0pf)
低柵極電荷(典型值高= 16nc)
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt/dt能力
符合RoHS
參數
產品編號:KIA 5N60
系列名稱:MOSFET
溝道:N溝道
耗散功率(pd):100
漏源反向電壓(Vds):600
柵源反向電壓(Vgs):30
漏極電流(連續)(id):5
最高結溫(Tj),℃:150
上升時間(tr):42
輸出電容(Cd),PF:55
通態電阻(Rds),ohm:1.8
封裝形式:TO-220、TO-220F等
4N60
描述
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET
適用范圍
開關電源、逆變器等
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廠家
KIA原廠家
網址
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